系统特征
| 序号 | 测试器件 |
| 01 | 二极管 |
| 02 | 晶体管NPN型/PNP型 |
| 03 | J型场效应管 |
| 04 | MOS场效应管 |
| 05 | 双向可控硅 |
| 06 | 可控硅 |
| 07 | lGBT |
| 08 | 硅触发可控硅 |
| 09 | 达林顿阵列 |
| 10 | 金属氧化物压变电阻 |
| 12 | 固态过压保护器 |
| 13 | 稳压、齐纳二极管 |
规格/环境：
| VGES:0-40V | 分辨率0. 1V | |
| lGES:0.1-10Ua | 分辨率0.01uA | |
| Vce:0V |
| |
| Vces:100-3000v | 分辨率10V | |
| lces:100UA-5mA | 分辨率10uA | |
| Vge:0V | Vge:0V | |
| 栅极发射极阈值电压 | Vge(th):1-10V | 分辨率0lV |
| VCE(sat):02-5V | 分辨率0.01V | |
| lCE:10-100A | 分辨率1A | |
| VF:0-5V | 分辨率0.01V | |
| lF:0-100A | 分辨率1A | |
| Vge:0V |
| |
| Vces:100-3000V | 分辨率10V | |
| lces; 100UA-5mA | 分辨率10uA |
