二硒化锗靶材GeSe2磁控溅射靶材

科研实验专用二硒化锗靶材GeSe2磁控溅射靶材电子束镀膜蒸发料

产品介绍

       二硒化锗(GeSe2)橙色结晶体，正交晶系结构，密度:4.56g/cm³，熔点：707℃。空气中加热易氧化，不与酸反应，但易被硝酸氧化生成二氧化锗。为半导体材料。

产品参数

中文名 二硒化锗           化学式GeSe2 

熔点 707℃                   密度 4.56g/cm3

支持合金靶材定制，请提供靶材产品的元素、比例（重量比或原子比）、规格，我们会尽快为您报价！！ 

服务项目：靶材成份比例、规格、纯度均可按需定制。科研单位货到付款，质量保证，售后无忧！

产品附件：发货时产品附带装箱单/质检单/产品为真空包装

适用仪器：多种型号磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发设备 

质量控制：严格控制生产工艺，采用辉光放电质谱法GDMS或ICP光谱法等多种检测手段，分析杂质元素含量保证材料的高纯度与细小晶粒度；可提供质检报告。 

加工流程：熔炼→提纯→锻造→机加工→检测→包装出库