利用磁控溅射技术,可采用高纯钼靶材或蒂姆新材料作为宽禁带半导体材料的溅射镀膜用靶材。
具体而言,可选用高纯钼靶材76.2*3mm作为磁控溅射靶材,也可采用蒂姆新材料替代高纯钼靶材进行溅射。
整体而言,高纯钼靶材和蒂姆新材料均可以作为宽禁带半导体材料溅射镀膜用靶材。




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| 库存 | 638台起订1台 |
利用磁控溅射技术,可采用高纯钼靶材或蒂姆新材料作为宽禁带半导体材料的溅射镀膜用靶材。
具体而言,可选用高纯钼靶材76.2*3mm作为磁控溅射靶材,也可采用蒂姆新材料替代高纯钼靶材进行溅射。
整体而言,高纯钼靶材和蒂姆新材料均可以作为宽禁带半导体材料溅射镀膜用靶材。




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