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EN-3020B分立器件测试仪

2025-01-06 16:081020询价
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产品详情

EN-3020B分立器件测试仪

概述:EN-3020B型分立器件测试仪是用于二极管、IGBT和MOSFET的静态参数测试。系统的测试原理符合相应的国家标准、军标,系统为独立式单元,封闭式结构,具有升级扩展潜能。

系统特点:

功率源 3000V/200A

测试系统整体采用计算机操控

测试数据由计算机记录,并进行 Excel 处理

采用脉冲法测试,脉宽为国军标

自动化程度高(可按设定的程序自动测试)

测试灵活(**应对器件及多单元模块测试)

Labview 平台开发,数据编辑处理功能强,菜单式,模块化,人机友好设备操作简单、性能稳定非常适合电气,电子类厂商, 研究所做 IQC 来料检验、器件选型,失效分析以及学校教学和轨道机车地铁高铁检测使用。

●规格环境

尺寸:250×570×280(mm)

质量:15kg

环境温度:15~40℃

工作电压;AC220V±10%(无严重谐波)

电网频率:50Hz

通信接口;USB RS232

IGES

栅极电压Vge: 5-40V±3%±0.1V

电压VCESa

集电极电流ICE: 10-100A±2%±1A

集电极-发射极截止

集电极电流ICES: 0.1-1mA±3%±0.01mA

电流ICES

栅极电压VGE: 0V

二极管压降测试

IF:5-100A±2%±1A

反向漏电流IR

导通电阻RDS(on)

功能单元

参数指标

基本参数

功率源:3000V/200A

栅极-发射极漏电流

IGES: 0.1-10uA±2%±0.01uA

集电极电压VCE: 0V

集电极电压VCES: 200-3000V±2%±10V

集电极-发射极电压

集电极电流ICES: 0.1-1mA±3%±0.01mA

栅极电压Vge: 0V

集电极-发射极饱和

VCESat:0.1-5V±2%±0.01V

栅极电压Vge: ±15V±2%±0.2V

集电极电压VCE: 200-3000V±3%

栅极-发射极阈值电

VGEth: 1-10V±2%±0.1V

Vce=15V

VF: 0.1-5V±2%±0.01V

Vge: 0V

反向击穿BVR

BVR:200-3000V±2%±10V

IR:0.1-10mA±3%±0.01mA

1-10mΩ±2%±0.1 mΩ

10-50mΩ±2%±0.5 mΩ


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