应用领域
院所、高校、半导体器件生产厂商、
电源、变频器、逆变器、变流器、数控、电焊机、白色家电、
新能源汽车、轨道机车检修等
设备用途
测试分析、器件选型 、筛选检验 、生产线自动批量测试等
技术指标
主极电压: 10mV-2000V
主极电流： 100nA-50A
扩展电流： 100A、500A、1000A、1300A
电压分辨率：1mV
电流分辨率：1nA
测试精度： 0.2%+2LSB
测试速度： 0.5mS/参数
系统功耗： <150w
质 量： 35KG
尺 寸： 450570280mm
通信接口： RS232 USB
工作温度： 25-40°C
测试范围
二极管DIODE，晶体管（NPN型/PNP型），J型场效应管J-FET，MOS场效应管 MOS-FET双向可控硅TRIAC，可控硅SCR，绝缘栅双极大功率晶体管IGBT，硅触发可控硅STS
达林顿阵列DARLINTON，光电耦合OPTO-COUPLER，继电器RELAY，稳压、齐纳二极管ZENER三端稳压器REGULATOR，光电开关OPTO-SWITCH，光电逻辑OPTO-LOGIC，金属氧化物压变电阻MOV，固态过压保护器SSOVP，压变电阻VARISTOR，双向触发二极管DIAC
测试参数
漏电参数：IR、 ICBO、 LCEO/S/X、IDSS/X、 IDOFF、 IDRM、 IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、 IR(OPTO)
击穿参数：BVCEOBVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、 VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、 BVGKO
增益参数：hFE、CTR、gFS
导通参数：VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VTM、VGETH、VSD、IDON、VSAT、IDON、VO(Regulator)、Notch = IGT1、IGT4、ICON、VGEON、、IIN(Regulator)
关断参数：VGSOFF
触发参数：IGT、VGT
保持参数：IH、IH+、IH-
锁定参数：IL、IL+、IL-
混合参数：rDSON、gFS、InpuRegulation、OutpuRegulatio
间接参数：IL
