方法一
半导体稳压二极管亦纳二极管(Zener Diode)或电压调整二极,简称稳压管。稳压管和半导体二极管都具有单向导电性质,仅仅靠观察外形,有时很难加以区别。例如,2CW7的外形很象小功率二极管,而2DW7的外形又与晶体管相似。
但是稳压管和二极管也有重要区别。第一,二极管一般在正向电压下人作,稳压管则在反向击穿状态下工作,二者用法不同;第二,普通二极管的反向击穿电压一般在40V以上,高的可达几百伏至上千伏,而且在伏安特性曲线反向击穿的一段不陡,即反向击穿电压的范围较大,动态电阻也比较大。对于稳压管,当反向电压超过其工作电压Vz(亦称齐纳电压或稳定电压)时,反向电流将突然增大,而器件两端的电压基本保持恒定。对应的反向伏安特性曲线非常陡,动态电阻很小。稳压管可用作稳压器、电压基准、过压保护、电平转换器等。本书用Dz符号表示稳压管。
稳压管分低压、高压两种。低压稳压管的Vz值一般在40V以下,高压稳压管最高可达200V。过去国产稳压管均采用金属壳封装,不仅体积大,而且价格高。近年来来全系列玻封存稳压管大量问世,其优点是规格齐全(Vz=2.4~200V)、稳压特性好、体积小巧(采用DO-35封装,管径φ2.0mm,长4mm)、价格低廉。国产稳压二极管产品的分类见表1。
根据二者反向击穿电压在数值上的差异及稳定性,可以区分标记不清楚的稳压管和普通二极管,电路见图1。利用兆欧表提供合适的反向击穿电压,将被测管反向击穿。选择万用表的10VDC档或50VDV档测出反向击穿电压值,数值在40V以上的是二极管,低于40V的稳压管。
注意,这也有例外情况。例如2AP21的反向击穿电压低于15V,2AP8的反向击穿电压最小值为20V。此外,2DW130~2DW143型稳压管的Vz值为50~200V,2CW362~2CW378的Vz值是43~200V(以上均为标称值)。遇到这类情况也不难区分。同样都按额定转速摇兆欧表,由于二极管反向击穿区域的动态电阻较大,曲线不陡,因此电压表指针的摆动幅度就比较大。而稳压管的Rz很小,曲线很小,曲线很陡,表针摆动很小。
实例:测量一只型2AP5锗二极管,按额定转速摇兆欧表时,反向击穿电压在110~130V之间变化,表针摇摆不稳(手册中规定反向击穿电压V(BR)≥110V)。另测一只2CW136型稳压管时表针基本稳定,指在115V位置(手册中仅给出2DW136的工作电压范围是100~120V,但蛤体到某只稳压管,其工作电压基本为一确定值)。
方法二
利用万用表的电阻档也可以区分稳压管与半导体二极管。具体方法是,首先用R×1k档测量正、反向电阻,确定被测管的正、负极。然后将万用表拨于R×10k档,如图所示,黑表笔接负极,红表笔接正极,由表内9~15V叠层电池提供反向电压。其中,电阻读数较小的是稳压管,电阻为无穷大的二极管。
注意事项:
(1)此方法只能测量反向击电压比R×10k档电池电压低的稳压管。
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