多层二维半导体纳米材料研制成功

美国化学家研发出了一种新方法，使用硅碲化物制备出拥有多层结构的二维半导体纳米材料，这些材料拥有不同的形状和排列方向，可在多个领域大显身手。布朗大学的科学家使用硅碲化物制造出了纳米带和纳米板。硅碲化物是一种纯净的P型半导体(携带正电荷)，广泛出现在很多电子和光学设备中，它们的层级结构能吸收锂和镁，这意味着可用来制造电池的电极。

　　该研究的领导者、布朗大学化学系助理教授克里斯蒂·克斯基表示，硅基化合物是现代电学处理过程的基石，硅碲化物是其中一员，我们发明的全新方法可用来制造拥有多层结构的二维纳米材料。克斯基团队通过气相沉积方法在一个管式炉中合成出了这些新材料。当硅和碲化物在管子中被加热时，会蒸发并反应，制造出一种前体化合物，这种前体化合物接着被氩气沉积在基座上，随后，硅碲化物就从该前体化合物中生长出来。通过改变熔炉的温度并对基座进行不同的处理，研究人员最终制造出了纳米带和纳米板，纳米带的宽度约为50到1000纳米，长度为10微米。而且，不同材料拥有不同的结构，其晶格也有不同的排列方式，因此拥有不同的属性和用途。

　　研究人员也证明，可以使用不同的基座，将不同材料掺杂(在掺杂过程中，细小的杂质被引入材料内，从而改变材料的电学属性)进入这些纳米材料内。在最新研究中，研究人员通过实验证实，当硅碲化物在蓝宝石基座上生长时，可向其中掺杂铝，这一过程可以将材料从P型半导体变成N型半导体(携带负电荷)。研究人员还指出，新方法得到的材料不仅稳定，而且容易被改进。他们计划对得到的纳米材料的电学和光学属性进行测试。