雪崩能量测试台功能指标:
| 配置 | 测试范围 | 测试参数 | 条件 | 范围 | |
| 电压1000V | IGBT 绝缘栅极双极型晶体管 | EAS/单脉冲雪崩能量 | VCE | 20V~4500V | 20V~100V±3%±1V 100V~1000V±3%±5V 1000V~4500V±3%±10V |
| 电流200A | MOSFETS MOS场效应管 | EAR/重复脉冲雪崩能量 | IC | 1mA~200A | 1mA~100mA±3%±0.1mA 100mA~2A±3%±5mA 2A~200A±3%±50mA |
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| DIODES 二极管 | IAS/脉冲雪崩电流 PAS/单脉冲雪崩功率 | Ea | 1J~2000J | 1J~100J±3%±1J 100J~500J±3%±5J 500J~2000J±3%±10J |
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| IC(检测） | 50mV/A(取决于传感器） | |
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| 感性负载 | 10mH、20mH、40mH、80mH、100mH | |
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| 重复间隙时间 | 1~60s可调（进步is）重复次数：1~50次 | |