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| 输入电压 | 220V±20V,10A | 220V±20V,10A | 220V±20V,10A |
| 最大脉冲输出电流 | 10000A | 15000A | 20000A |
| 充磁周期 | 3second | 6second | 12second |
| 输出电压范围 | 100~1200V | 100~1200V | 100~1200V |
| 电容容量 | 1000μF | 2000μF | 4000μF |
| 最大储能 | | | |
| 电路控制 | SCR(可控硅触发电路) | ||
| 尺寸 | | ||
| 重量 | 40kg | 45kg | 55kg |
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| 1 | 充磁波形 | 标准正弦半波,在相同充磁磁场峰值的情况下,能耗仅为传统充磁波形的三分之一 | 传统的充磁波形,有三分之二的能量损耗在下降区段,对磁场强度无贡献 |
| 2 | 放电过程 | 不完全放电,节约能量,线圈发热小 | 完全放电,60%的能量损失在线圈电阻上,线圈发热大 |
| 3 | 电容器 | 采用干式电力电容器,体积小,能量密度高,无漏液 | 采用油浸式电容,漏液时有发生从0V开始充电,充电时间较长 |
| 4 | 充电过程 | 从60%~80%的电压开始充电,充电速度快 | 相同,均为衰减振荡波形 |
| 5 | 退磁波形 | 相同,均为衰减振荡波形 | |