美国 KRI霍尔离子源Gridless eH 系列美国 KRI霍尔离子源eH 系列紧凑设计, 高电流低能量宽束型离子源, 提供原子等级的细微加工能力,霍尔离子源eH 可以以纳米精度来处理薄膜及表面, 多种型号满足科研及工业, 半导体应用.霍尔离子源高电流提高镀膜沉积速率, 低能量减少离子轰击损伤表面, 宽束设计提高吞吐量和覆盖沉积区. 整体易操作, 易维护.霍尔离子源eH 提供一套完整的方案包含离子源, 电子中和器, 电源供应器, 流量控制器 MFC 等等可以直接整合在各类真空设备中, 例如镀膜机, load lock, 溅射系统, 卷绕镀膜机等.美国 KRI霍尔离子源eH 特性
无栅极 |
美国 KRI霍尔离子源eH 主要应用辅助镀膜 IBAD溅镀&蒸镀 PC表面改性、激活 SM沉积 (DD)离子蚀刻 LIBE光学镀膜Biasedargeiobeam spuer depositio(BTIBSD)IoBeam Modificatioof Material Properties (IBM)
例如1. 离子辅助镀膜及电子枪蒸镀2. 线上式磁控溅射及蒸镀设备预清洗3. 表面处理4. 表面硬化层镀膜5. 磁控溅射辅助镀膜7. 偏压离子束磁控溅射镀膜
霍尔离子源eH 系列在售型号:
型号 | eH400 | eH1000 | eH2000 | eH3000 | eH Linea |
中和器 | F or HC | F or HC | F or HC | F or HC | F |
阳极电压 | 50-300 V | 50-300 V | 50-300 V | 50-250 V | 50-300 V |
离子束流 | 5A | 10A | 10A | 20A | 根据实际应用 |
散射角度 | >45 | >45 | >45 | >45 | >45 |
气体流量 | 2-25 sccm | 2-50 sccm | 2-75 sccm | 5-100 sccm | 根据实际应用 |
本体高度 | 3.0“ | 4.0“ | 4.0“ | 6.0“ | 根据实际应用 |
直径 | 3.7“ | 5.7“ | 5.7“ | 9.7“ | 根据实际应用 |
水冷 | 可选 | 可选 | 是 | 可选 | 根据实际应用 |
F = Filame; HC = Hollow Cathode; xO2 = Optimized for O2 cue1978 年 Dr. Kaufma博士在美国创立 Kaufma& Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源,霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经40 年改良及发展已取得多项专 . 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源总代理.
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