数字化深能级瞬态谱仪DLTS

 
 
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更新 2025-01-06 15:21
 

北京培科创新技术有限公司

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详细说明

半导体技术的一个重要目标是减少构成所有半导体器件中,晶体、多晶和非晶层中固有的和由工艺引起的缺陷。杂质、晶界、晶面等引起的缺陷导致陷阱的产生,陷阱可以俘获自由电子和空穴。即使浓度非常低,陷阱也能极大地改变设备的性能。深能级瞬态光谱(DLTS)是现在一种非常通用的技术,用于测定与陷阱相关的几乎所有参数,包括密度、热界面(热发射率)、能级和空间剖面。

主要特点

●快速而灵敏地检测半导体中的电活性缺陷

●高灵敏度:体陷阱检测限< 109atoms/cm3;

●具有低至3微秒的快速响应时间

●具有对过载的快速恢复能力以及对泄露电流的高免疫能力

●快速温度扫描能力:每8分钟100K且不影响灵敏度

●高达60dB的背景电容抑制能力度

●数字***包括:16位分辨率,1毫秒的采样增量,50倍的时间跨度,和不限平均点数的平均瞬态

●单次温度扫描可同时记录不同发射率窗下的8幅谱图

主要应用

●PN结 ●肖特基二极管

●MOS管 ●LED

●场效应管 ●半导体激光器

●高电阻率半绝缘材料



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