STEK系列KTP普克尔盒
STEK-PCK KTP普克尔盒是用特殊生长的高电阻率KTP晶体制成的新产品系列。KTP晶体比RTP晶体具有更好的光学均匀性和更高的损伤阈值。其突出特点是可以在高占空比下运行KTP开关的同时还可时长时间保持高电压。
主要应用
高重复率激光器1 kHz-1 MHz的调Q高重复率激光器的脉冲选择器主要特点
相较于双BBO普克尔盒电池电压要求小两倍高占空比运行极低的压电共振标准通光孔径：4x4、6x6和8x8 mm| 型号 | STEK-PCK4 | STEK-PCK4-O | STEK-PCK6 | STEK-PCK6-O |
| 通光孔径, mm | 3.5 | 3.5 | 5.5 | 3.5 |
| 晶体尺寸 (宽x高x长), mm | 4x4x10 | 4x4x10 | 6x6x10 | 4x4x10 |
| 晶体数量 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| 半波电压 (@ 1064m), kV DC | <1.8 | <1.8 | <2.5 | <1.8 |
| 电容, pF | 4 | 4 | <6 | 4 |
| 光通过率, % | >98 | >98 | >98 | >98 |
| 对比率 | >1:500 | >1:500 | >1:500 | >1:500 |
| 外形尺寸, mm | Ø25.4x42.2 | 25x11.1x7.5 | Ø25.4x42.2 | 25x13.8x10.6 |
STEK系列KD*P普克尔盒
普克尔盒的作用是在KD*P等电光晶体的电极上施压用来改变通过这些晶体的的光的偏振态。当它与偏振器一起使用时，普克尔盒可以用作快速关断开关。典型应用包括激光腔的调Q，实现激光腔倒空将光注入或从再生放大器中耦合出来。KD*P普克尔盒通常用于400～1.1μm的调Q应用。市面大多数灯泵浦Nd:YAG激光器和低重复率半导体Nd:YAG激光器的激光腔调Q开关都是使用KD*P普克尔盒。所有的电光KD*P晶体都镀有高损伤阈值AR膜层。此外，STEK-PC12SR和STEK-D-compact系列的普克尔盒还特有AR镀膜窗口，可以保护和提高此产品在不太好的环境中的使用寿命。
主要特点
价格经济结构紧凑低光吸收光传输范围400-1100nm主要应用
激光腔调Q激光腔倒空| 产品型号 | STEK-PC5S | STEK-PC5D | STEK-PC10S | STEK-D-Compact/ 9 | STEK-D-Compact/12 |
| 通光孔径, mm | 4.5x4.5 | 4.5x4.5 | 9.5x9.5 | Ø8 | Ø11 |
| 晶体尺寸 (宽x高x长)mm | 5x5x16 | 5x5x16 | 101025 | Ø9x20 | Ø12x24 |
| 晶体数量 | 1 | 2 | 1 | 1 | 1 |
| λ/2 半波电压 1064nm, kV DC | <6.5 | <3.4 | <6.8 | <6.8 | <6.8 |
| 电容, pF | 1.5 | 3 | 4 | 6 | 6 |
| 光通过率, % | >97 | >97 | >97 | >97 | >97 |
| 对比度1) | > 1:2000 | >1:1000 | >1:2000 | >1:2000 | >1:2000 |
| 尺寸, mm | 18x14x25 | 23x16x52 | 22x18x33 | Ø25.4x35 | Ø25.4x39 |
1) 交叉极化法测量。所有的晶体镀镆层 AR/AR@1064m. 可根据客户要求提供其他镀膜，损伤阈值>5 J/cm2，1064m， 10ns
| 产品型号 | STEK-PC12SR | STEK-PCR12SR-532 | STEK-PCR12SR-694 |
| 通光孔径, mm | Ø 11 | Ø 11 | Ø 11 |
| 晶体尺寸 (宽x高x长)mm | Ø 12x24 | Ø 12x24 | Ø 12x24 |
| 晶体数量 | 1 | 1 | 1 |
| λ/2 半波电压 1064nm, kV DC | @1064m <6.8 kV DC | @532m <3.5 kV DC | @694m <4.5 kV DC |
| 电容, pF | 6 | 6 | 6 |
| 光通过率, % | >97 | >96 | >97 |
| 对比度1) | >1:2000 | >1:2000 | >1:2000 |
| 尺寸, mm | Ø 35 x 41.4 | Ø 35 x 41.4 | Ø 35 x 41.4 |
交叉极化法测量
STEK系列BBO普克尔盒
此系列普克尔盒是在BBO等电光晶体的电极上施压用来改变通过这些晶体的的光的偏振态。当与偏振器一起使用时，它可以用作快速关断开关。典型应用包括激光腔的调Q，实现激光腔倒空将光注入或从再生放大器中耦合出来。BBO普克尔盒通常用在从紫外到2μm以上的波长范围。PCB系列的普克尔盒是横向磁场器件。BBO电光系数低，工作电压高。四分之一波电压与电极间距和晶体长度的比值成正比。因此，小通光孔径的普克尔合的四分之一波电压也较低。对于通光孔径达到2.5mm的普克尔盒 ，其四分之一波电压高达4kv@1064nm。此产品采用双晶体设计以降低所需电压，并可在半波模式下快速切换。
主要特点
减小压电振铃低吸收陶瓷孔径200m~ 2000m传输范围结构紧凑主要应用
高重复频率的半导体Q开关高重复频率的再生放大器控制腔倒空束流脉冲调制| 产品型号 | STEK-PCB3S | STEK-PCB3D | STEK-PCB3S/25 | STEK-PCB3D/25 | STEK-PCB4S | STEK-PCB4D |
| 通光孔径, mm | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 3.5 | 3.5 |
| 晶体尺寸 (宽x高x长), mm | 3x3x20 | 3x3x20 | 3x3x25 | 3x3x25 | 4x4x20 | 4x4x20 |
| 晶体数量 | 1 | 2 | 1 | 2 | 1 | 2 |
| 1/4波电压 (@ 1064nm), kVDC | <3.5 | <1.8 | <3.0 | <1.5 | <4.6 | <2.3 |
| 电容, pF | 4 | 6 | 4 | 6 | 3 | 6 |
| 光通过率, % | >98 | >98 | >98 | >98 | >98 | >98 |
| 对比度1) | >1:1000 | >1:500 | >1:1000 | >1:500 | >1:1000 | >1:500 |
| 尺寸, mm | Ø25.4x37.2 | Ø25.4x57.2 | Ø25.4x42.2 | Ø25.4x67.2 | Ø25.4x37.2 | Ø25.4x57.2 |
所有的晶体镀镆层 AR/AR@1064m. 可根据客户要求提供其他镀膜，损伤阈值>5 J/cm2，1064m， 10ns
| 产品型号 | STEK-PCB3S-1342 | STEK-PCB3D-800 | STEK-PCB3S-532 |
| 通光孔径, mm | 2.5 | 2.5 | 2.5 |
| 晶体尺寸 (宽x高x长) mm | 3x3x20 | 3x3x20 | 4x4x20 |
| 晶体数量 | 2 | 1 | 1 |
| 四分之一波电压, kVDC | <2.4 | <2.6 | <2.25 |
| 波长,m | 1342 | 800 | 532 |
| 电容, pF | 4 | 6 | 4 |
| 光通过率, % | >98 | >98 | >98 |
| 对比度1) | >1:500 | >1:1000 | >1:1000 |
| 尺寸, mm | Ø25.4x57.2 | Ø25.4x37.2 | Ø25.4x37.2 |
1) 交叉极化法测量