该产品采用国际先进制造工艺，造型新颖结构合理；
目前已被各种试样实验多次验证，并已广泛用于半导体器件研发及生产等领域；
该系统主要用于：
1.可满足离子注入后的快速退火；
2.也可用于欧姆接触快速合金；
3.还可用于硅化物合金退火，氧化物生长；
4.以及铜铟镓硒光伏应用中的硒沉积等快速热处理工艺场合。
该设备是国家专利保护产品，专利号：CN201310005931.6
RTP快速退火炉主要技术参数
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该产品采用国际先进制造工艺，造型新颖结构合理；
目前已被各种试样实验多次验证，并已广泛用于半导体器件研发及生产等领域；
该系统主要用于：
1.可满足离子注入后的快速退火；
2.也可用于欧姆接触快速合金；
3.还可用于硅化物合金退火，氧化物生长；
4.以及铜铟镓硒光伏应用中的硒沉积等快速热处理工艺场合。
该设备是国家专利保护产品，专利号：CN201310005931.6
RTP快速退火炉主要技术参数