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DP8205B低内阻15mΩ双NMOS 20V/6.5A场效应管
 
 
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更新 2025-01-06 16:58
 

深圳市航誉芯电子有限公司

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DP8205B采用**的沟道技术，提供**的RDS（ON），低栅极充电和低至2.5V的栅极电压操作。该设备适合用作电池保护或其他开关应用。



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