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而ddr4运作电压仅1.2v，比ddr3的1.5v低了至少20，也比ddr3l的1.35v还低，更比目前x86ultrabook/tablet使用的低功耗lp-ddr3的1.25v还要低，再加上ddr4一次支援省电技术（deeppowerdown），进入休眠模式时无须更新存储器，或仅直接更新dimm上的单一存储器颗粒，减少35~50的待机功耗。
将来迈入20制程时，会导入3d立体堆叠加矽钻孔（3dstacks+tsv）封装技术，以及针对绘图芯片、移动设备提出低脚位数的widei/o，来提升dram存储器单位容量与频宽。
英特尔将分别把ddr4规格导入伺服器／工作站平台，以及桌上型电脑平台（high-enddesktop；hedt）。前者是伺服器处理器xeone5-2600处理器（代号haswell-ep），搭配的ddr4存储器为2，133mbps（ddr4-2133）；后者则是预定三季推出的8***ielcorei7extremeedition处理器，同样搭配ddr4-2133存储器，以及支援14组usb3.0、10组sata6gbps的x99芯片组，成为20144季至2015年上半年英特尔***的桌上型电脑平台组合。
而超微（amd）下一代apu（代号caizo）已***至2015年登场，但其存储器支援性仍停留在ddr3。至于移动设备部份，安谋（arm）针对伺服器市场打造的64位元cortex-a57处理器***，已预留对ddr4存储器支援，而三方ip供应商也提供了相关的ddr4phyip。
三星于2013年底量产20制程的4gb存储器颗粒，将32gb的存储器推向伺服器市场；2014年1月推出移动设备用的低功耗ddr4（lp-ddr4）。sk海力士在2014年4月借助矽钻孔（tsv）技术，开发出单一ddr4芯片外观、容量达128gb。市场预料ddr4将与ddr3（ddr3l、lp-ddr3）等共存一段时间，预计到2016年才会***ddr3而成为市场主流。
v-在一些非挥发性存储器如相变存储器（phase-changememory；pcm）、磁阻存储器（resistivememory；m-ram）、电阻存储器（resistivememory；am）等技术已蓄势待发、即将迈向商业量产门槛之际，ddr4将可能是末代的ddr存储器，届时电脑与软体结构将会出现为剧烈的变动。
nandflash逼近制程物理以提升容量密度
以浮闸式（floatinggate）半导体电路所设计的nandflash非挥发性存储器，随着flash制程技术不断进化、单位容量成本不断下降的情况下，已经在智慧手机、嵌入式装置与工控应用上大量普及。
micron自家市场统计预测指出，从2012到2016年总体nandflash容量应用的年复合成长率可达51。2013年，美光（micron）与skhynix两家晶圆厂，先后发表16nm制程的nandflash存储器技术，而东芝（toshiba）则在2014年直接跨入15nm制程，并推出相关nandflash存储器芯片产品。
nandflash传输速率，从2010年onfi2.0的133mb/s，emmcv4.41的104mb/s；到2011年onfiv2.2/toggle1.0规格，传输速率提升到200mb/s，emmcv4.5拉高到200mb/s，ufs1.0传输速率为2.9gbps；2012年onfiv3.0/togglev1.5提升到400mb/s，ufsv2.0传输速率倍增为5.8gbps；预估到2015年，onfiv4.x/togglev2.xx规格定义的传输速率增到800mb/s、1.6gb/s。
随着nandflash制程进步与线路宽度与间距的微缩，连带影响到抹写次数（p/ecycles）的缩减。slc存储器从3x制程的100，000次p/ecycles、4个eccbit到2x制程降为60，000p/e、ecc24bit。mlc从早期5x制程10，000p/e、ecc8bit，到2x/2y制程时已降为3，000p/e、24~40个eccbit。
有厂商提出，eslc、islc的存储器解决方案，以运用既有的低成本的mlc存储器，在单一细胞电路单元使用slc读写技术（只储存单一位元的电荷值），抹写***度提升到30，000次p/e，成本虽比mlc高，但性价比远于slc，可应用在ipc／kiosk／pos系统、嵌入式系统、伺服器主机板以及薄型终端机等。