回收全新普瑞芯片回收SMT贴片电子料
以下主要讲了：ram、rom和flash三大类。
am包括：sram、dram、sdram、ddrsdram、ddr2sdram和ddr3sdram
om包括：prom、eprom和eeprom
flash包括：norflash和nandflash
am、rom和flash三大类常见存储器简介
am、rom和flash三大类常见存储器简介
am
速度快，掉电丢失数据，容量小，价格贵
am英文名randomaccessmemory，随机存储器，之所以叫随机存储器是因为：当对ram进行数据读取或写入的时候，花费的时间和这段所在的位置或写入的位置无关。
am分为两大类：sram和dram。
sram是静态（s指的static）ram，静态指的不需要刷新电路，数据不会丢失，sram速度非常快，是目前读写快的存储设备了。
dram是动态ram，动态指的每隔一段时间就要刷新一次数据，才能保存数据，速度也比sram慢，不过它还是比任何的rom都要快。
sdram是同步（s指的是synchronous）dram，同步是指内存工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准
ddr、ddr2、ddr3都属于sdram，ddr是doubledaterate的意思，三种指的是同一系列的三代，速度更快，容量更大，功耗更小，现在出了ddr4，也是同一系列
om
掉电不丢失数据，容量大，价格便宜
om英文名read-onlymemory，只读存储器，里面数据在正常应用的时候只能读，不能写，存储速度不如ram。
prom：（p指的programmable）可编程rom，根据用户需求，来写入内容，但是只能写一次，就不能再改变了
eprom：prom的升级版，可以多次编程更改，只能使用紫外线擦除
eeprom：升级版，可以多次编程更改，使用电擦除
flash
掉电不丢失数据，容量大，价格便宜
flash：存储器又称闪存，它结合了rom和ram的长处，不仅具备电子可擦除可编程（eeprom）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据。分为nandflash和norflash，norflash读取速度比nandflash快，但是容量不如nandflash，价格上也更高，但是norflash可以芯片内执行，样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统ram中。nandflash密度更大，可以作为大数据的存储。