单晶硅片制备的主要工艺流程和设备

   2018-07-03 208
核心提示:[db:简介]

单晶硅片制备的主要工艺流程:

备料,单晶,截断取样,测量,滚磨,线切割,硅片剥离清洗,厚度测量,倒角,测量,分选,表面磨削,表面腐蚀,边缘抛光,双面抛光,初清洗,综合测量,预清洗,背封LPCVD,快速退火,等离子腐蚀(D.C.P.),测量,激光软刻号,最终单面抛光,最终清洗,表面测量,表面金属测量,外延,表面测量,外延参数测量,洁净内包装,洁净外包装,入仓库。

单晶硅片制备的主要工艺设备:

见下图

 
举报收藏 0打赏 0
 
更多>同类数控技术
推荐图文
推荐数控技术
点击排行
网站首页  |  关于我们  |  升级会员  |  联系客服  |  广告合作  |  广告位图  |  使用协议  |  隐私政策  |  版权隐私  |  网站地图  |  排名推广  |  广告服务  |  RSS订阅  |  违规举报  |  蜀ICP备2021024440号