1 引言
2 CBN涂层的制备方法
- 等离子体增强脉冲激光沉积法
- 图1为等离子体增强脉冲激光沉积装置示意图。该装置主要包括多波段Nd:YAG 激光器、等离子枪和抽真空系统。等离子枪包括一个热电子发射阴极(热阴极,由钨丝制作的灯丝构成)和一个阳极;固体激光器产生的高能激光作用在靶材(HBN)上,温度可达10000:,靶材在高温下熔化和气化,产生B 蒸气;热阴极发射的热电子激活反应气体N2产生等离子体N+,它与B蒸气反应,在基片上沉积BN薄膜。基极偏压的作用是辅助沉积,基片距靶材5cm,在沉积过程中基片不停旋转。
- 等离子体增强脉冲激光沉积装置沉积CBN的典型条件为:R6入射功率10~150W,基极负偏压100~200V,激光能量密度25J/cm2,沉积时间5~15min。
- 热丝辅助射频等离子体CVD法
- 图2热丝辅助射频等离子体CVD装置示意图。射频电源产生的高频电磁振荡激发反应气体产生等离子体,置于基片上方的热丝一方面对基片和反应气体加热以提供更多热能,另一方面热丝发射的热电子进一步增强等离子体,以提高反应气体离解率;基片温度通过调节灯丝电压进行控制。反应气体为B2H6与NH3的混合气体,混合前先用高纯度H2分别稀释至1%~5%,再按NH3:B2H6=3:1 的体积比混合并通过反应室。制备前先将反应室抽至小于1Pa的基础真空度,并用H2清洗几分钟。
- 热丝辅助射频等离子体CVD法沉积CBN的典型条件为:热丝温度1800~2200°C,基片温度800~1000°C,热丝到基片的距离5~15mm,射频功率100~200W。
- 图1为等离子体增强脉冲激光沉积装置示意图。该装置主要包括多波段Nd:YAG 激光器、等离子枪和抽真空系统。等离子枪包括一个热电子发射阴极(热阴极,由钨丝制作的灯丝构成)和一个阳极;固体激光器产生的高能激光作用在靶材(HBN)上,温度可达10000:,靶材在高温下熔化和气化,产生B 蒸气;热阴极发射的热电子激活反应气体N2产生等离子体N+,它与B蒸气反应,在基片上沉积BN薄膜。基极偏压的作用是辅助沉积,基片距靶材5cm,在沉积过程中基片不停旋转。
图1 等离子体增强脉冲激光沉积装置
图2 热丝辅助射频等离子体CVD装置




